低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索

• 作 者: 许颖 励旭东 王文静 于元 赵玉文 沈辉
• 机 构: 北京市太阳能研究所,中国科学院广州能源所
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2003年3期
• 关键词: 多晶硅薄膜电池 太阳电池 颗粒硅带 扩散工艺 化学气相沉积 低成本衬底 光伏电池 crystalline silicon thin film solar ce
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)

在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池.无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜.通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6.25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4.5%(低纯硅粉制成的SSP衬底).