【摘 要】
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用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀剂,沿方向刻槽,研制成两种发射波长为1.35μ
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀剂,沿<110>方向刻槽,研制成两种发射波长为1.35μm In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP化学腐蚀腔面激光器.单面化学腐蚀腔面激光器的阈电流密度与常规解理腔面器件相比,未见增高.而双面化学腐蚀腔面激光器则有较高的阈电流密度.
The In_ (1-x) Ga_xAs_yP_ (1-y) / InP DH epilayer was grown by two-phase liquid-phase epitaxy and masked by AZ1350i adhesive tape. 50 as an etchant, and grooves along the <110> direction, two kinds of lasers with emission wavelength of 1.35μm In_ (1-x) Ga_xAs_yP_ (1-y) / InP chemical etching were developed. The current density has no increase compared with the conventional one, while the double-sided chemically etched cavity laser has higher threshold current density.
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