微圆盘电极技术测定表面化学微加工时的约束刻蚀剂浓度分布

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sdszsh122

【摘要】

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利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2度分布,为约束刻蚀剂层技术（CELT）中刻蚀体系的选择和优化提供更直观

【作者】

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汤儆马信洲何辉忠张力林密旋曲东升丁庆勇孙立宁

【机构】

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厦门大学化学化工学院化学系,哈尔滨工业大学机器人研究所

【出处】

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物理化学学报

【发表日期】

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2006年4期

【关键词】

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约束刻蚀剂层技术微圆盘电极 L-胱氨酸 GAAS 浓度分布 Confined etchant layer technique （CELT） Microele

【基金项目】

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国家高新技术发展规划（863项目）（2002AA404170）和福建省自然科学基金计划资助项目（E0520001）

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利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2度分布,为约束刻蚀剂层技术（CELT）中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得的表面刻蚀剂的浓度分布趋势与微加工实验所得到的结果一致.

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