X射线缩小投影曝光技术的现状和课题

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【摘要】

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<正> 1.前言从1970年开始生产1kbit DRAM以来,其集成度以每三年四倍的速度递增.预计到2000年将生产1Gbit的DRAM。图1是每年蚀刻技术状况的变化图.从技术角度来看,目前已从等

【作者】

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吴秀丽

【出处】

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光机电信息

【发表日期】

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1998年7期

【关键词】

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光刻集成电路现状蚀刻 X射线缩小投影曝光

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<正> 1.前言从1970年开始生产1kbit DRAM以来,其集成度以每三年四倍的速度递增.预计到2000年将生产1Gbit的DRAM。图1是每年蚀刻技术状况的变化图.从技术角度来看,目前已从等倍蚀刻过渡到缩小蚀刻.其光源的波长已从G线(436nm)过渡到Ⅰ线(365nm),正在探索KrF(248nm)的短波长化。根据缩短曝光

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