【摘 要】
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基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现.对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
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基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现.对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设计,通过4胞高效合成及热沉设计,在工作电压60 V、工作脉宽300 μs、工作比10％的条件下,实现410?485 MHz全频带2 500 W功率输出、附加效率76％以上的高效高功率功率管,器件在驻波比大于5∶1时仍稳定工作.
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