论文部分内容阅读
本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射（XRD）以及慢正电子束分析（SPBA）手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明：低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.