用Ⅲ-Ⅴ族氮化物制成的红外探测器

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本发明提供一种量子阱红外光电探测器,它包括一层衬底、一层缓冲层、第一层导电层、一个多量子阱、一层任选阻挡层和第二层导电层。其中,衬底是用一种单晶体制作的,在器件制备完毕后可以去除掉。其余的膜层则是由Ⅲ-Ⅴ族氮化物构成的。这种量子阱红外光电探测器的优点是,能够敏感正入射和斜入射的近红外至甚远红外波长的光。 The present invention provides a quantum well infrared photodetector comprising a substrate, a buffer layer, a first conductive layer, a multiple quantum well, an optional barrier layer, and a second conductive layer. Among them, the substrate is made of a single crystal, the device can be removed after preparation. The rest of the film is made of group III-V nitrides. This quantum well infrared photodetector has the advantage of being sensitive to near-infrared to far-infrared wavelengths of light that are normally and obliquely incident.
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