a-Si∶H/Au/a-Si∶H膜的退火行为

• 作 者: 卞波 张庶元 吴自勤
• 机 构: 中国科技大学基础物理中心,中国科技大学结构分析开放实验室,中国科技大学基础物理中心
• 出 处: 电子显微学报
• 发表日期: 1993年2期
• 关键词: 电子衍射 H/Au/a-Si 亚稳相

Tsai等人发现180℃退火后在a-Si:H/Au薄膜内生成了雪花状结晶Si岛,类似的结果也被Hultman等人报导过。本文利用透射电子显微镜（TEM）研究了a-Si:H/Au/A-Si:H（10nm/30nm/10nm）三层膜的真空退火行为并对退火后形成的枝叉状晶化Si岛的结构和形成机理进行了研究和探讨。电镜观察结果表明,Au与Si在室温下形成一互混层,这可通过Au（111）衍射环分裂成d值为0.236和0.248nm的二个衍射环来证实。150℃热处理导致了Au<sub>2</sub&