【摘 要】
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利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化.结果
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所,新疆大学物理系
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利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化.结果表明,辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷,电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大,质子辐照后则未观察这一现象.当质子辐照到1014p/cm2时,引起部分体缺陷顺磁中心的消失.电子辐照后,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大,表明电子与质子辐照作用机制的
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