离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究

• 作 者: 袁宁一 李金华 范利宁 王秀琴 谢建生
• 机 构: 江苏工业学院功能材料实验室,江苏工业学院功能材料实验室,江苏工业学院功能材料实验室,江苏工业学院功能材料实验室,江苏工业学院功能材料实验室 常州213016,常州213016,常州213016,常州2
• 出 处: 物理学报
• 发表日期: 2006年07期
• 关键词: 氧化锌薄膜 p型掺杂 离子束增强沉积

采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.