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本文根据ＭＯＳ器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分情况，提出了一个简单的衬底杂质分布的近似。
深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型
【摘 要】
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本文根据ＭＯＳ器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分情况，提出了一个简单的衬底杂质分布的近似。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年11期
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