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当激发光能量小于ＧａＡｓ势垒带边能量时，在ＩｎＡｓ量子点结构中，清楚地观察到与ＩｎＡｓ浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为１２ｍｅＶ，发光具有二维特性，在相同的生长条件下，此发光峰位置与ＩｎＡｓ层的厚度基本无关。
InAs／GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究
【摘 要】
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当激发光能量小于ＧａＡｓ势垒带边能量时，在ＩｎＡｓ量子点结构中，清楚地观察到与ＩｎＡｓ浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为１２ｍｅＶ，发光具有二维特性，在相同
【机 构】
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半导体晶格国家重点实验室,香港科技大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,国家攀登计划
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