【摘 要】
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本文探讨了SiCl_4/SiH_4/H_2混合源常压和低压硅外延生长技术.实验结果表明,混合源兼有SiCl_4和SiH_4两者的优点,并在一定比例下具有SiH_2Cl_2源的特性.它能降低外延生长温度
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系
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本文探讨了SiCl_4/SiH_4/H_2混合源常压和低压硅外延生长技术.实验结果表明,混合源兼有SiCl_4和SiH_4两者的优点,并在一定比例下具有SiH_2Cl_2源的特性.它能降低外延生长温度、调节淀积速率,改善淀积的均匀性和抑制自掺杂效应.因此它可适应多种器件的要求.
In this paper, atmospheric and low-voltage silicon epitaxial growth techniques of SiCl_4 / SiH_4 / H_2 hybrid sources are discussed.The experimental results show that the hybrid sources have the advantages of both SiCl_4 and SiH_4 and have SiH_2Cl_2 sources at a certain ratio, The growth temperature, the deposition rate, the uniformity of deposition and the self-doping effect can be tailored so that it can accommodate a wide range of device requirements.
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