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本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜，通过改变Cr溅射功率，从而改变Cr的掺杂量．介绍了Zn1-xCrO薄膜的制备方法，分别用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对不同Cr溅射功率的一系列薄膜的结构，成份、元素含量及价态等性能进行了分析．结果表明，Cr溅射功率为20w的样品，具有最好的C轴择优取向，Cr以＋3价形式掺入薄膜中，Cr^3＋替代了部分Zn^2＋．