纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体的制备

• 作 者: 甄强 何伟明 刘建强 潘庆谊
• 机 构: 上海大学材料学院,上海大学材料学院,上海大学理学院
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2005年2期
• 关键词: 共沉淀法 无压反应烧结 纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体 工艺优化 coprecipitation method pressureless reactiv

以共沉淀法制备的纳米(75mol%Bi2O3+25mol%Y2O3)混合粉体作为原料,通过无压反应烧结工艺制备了纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi2O3)的形成规律研究表明:固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生长规律符合(D-Do)2=K·t抛物线方程.用模式识别技术对δ-Bi2O3相生成的工艺条件进行优化的工艺参数优化区为:Y＞-1.846X+3.433(X=0.0059T+0.0101t,Y=-0.0059T+0.0101t,式中,T为烧结温度