【摘 要】
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1 引言 在集成电路的开发生产中 ,工艺代是按光刻的最小特征尺寸来定义的 ,例如“0 5 μｍ工艺”。人们公认光学光刻是制约提高电路密度的关键工艺。由于需要推进到接近性
【机 构】
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Hewlett-PackardIntegratedCircuitBusinessDivision!PaloAlto,CA94303,Hewlett-PackardIntegratedCircuitBu
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1 引言 在集成电路的开发生产中 ,工艺代是按光刻的最小特征尺寸来定义的 ,例如“0 5 μｍ工艺”。人们公认光学光刻是制约提高电路密度的关键工艺。由于需要推进到接近性能的理论 (瑞利 )极限 ,当分辨率提高时焦深减小。对每一块掩模来讲 ,再现所确定的最佳焦深 ,成为工?
1 Introduction In the development and production of integrated circuits, process generation is defined by the minimum feature size of lithography, such as “0 5 μm process.” It is accepted that optical lithography is the key process that restricts the density of circuits. Due to the theoretical (Rayleigh) limit that needs to be advanced to near performance, the depth of focus decreases as the resolution increases. For each mask in terms of reproduction of the best focus depth determined to become a worker?
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