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从金属－半导体－绝缘体－金属层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因，对于这种结构，用时域介电谱方法能更可靠地分出ＭＯＳ结构的接触层和绝缘层中空间电荷运动的许多重要信息。
耗尽层的时域介电谱
【摘 要】
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从金属－半导体－绝缘体－金属层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因，对于这种结构，用时域介电谱方法能更可靠地分出ＭＯＳ结构的接触层和绝缘
【机 构】
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中山大学物理系,510275
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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1999年3期
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