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本文着重讨论了掺镁ＳｒＴｉＯ２陶瓷的电导与和环境氧分压之间的关系，在ＳｒＴｉＯ３中镁的含量分别选为１０、２０、３０、４０和５０ｍｏｌ％，所有样品均在２０￣９００℃的温度区间和３．８×１０＾－４￣２．６×１０＾－１ａｔｍ的氧分压范围被测试。结果表明：所有样品均呈现Ｐ型半导体的导电特征，样品在不同温度下的Ｒ∝Ｐ＾－１／ｍ关系中的ｍ与镁的含量和温度有关，根据Ｘ光衍射图和缺陷化学理论，实验结果得到适当的解