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针对红外探测器制作特性的要求，改善制作材料的物理性能，为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜（由MOCVD生长）在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量，应用霍尔效应原理，计算各温度下样品的迁移率和载流子浓度。在低温下，观察到了薄膜的弱局域效应（weak localization, WL），且发现硅的掺杂使其有更好的WL稳定性。并用三维Kawabata模型来拟合弱局域效应，得到相位相干长度的值，解释了掺杂n型硅对于InAs/GaSb二类超晶格量子局域化的有利性，从而为红外探测器件的开发提供了有价值的参考。