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为了解决硒化镓（GaSe）晶体制备困难、化学性能差的问题，对GaSe晶体传统的化学汽相沉积制备方法进行了改进，采用移动加热源法制备GaSe晶体。搭建了GaSe晶体的制备装置，通过单片机精确调控制备晶体的高温炉的加热温度、移动位置等参数，并采用光学显微镜和原子力显微镜对所制备的GaSe晶体进行辅助表征。研究表明，利用移动加热源法可以制备出表面光滑且尺寸较大的单层二维GaSe晶体。由于对机电设备实现了自动精密移动，可对单层二维GaSe晶体实现高质量大批量的制备，有利于GaSe晶体在光电子学和纳电子学中的广泛应用。