【摘 要】
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本文研究了用Li饱和补偿的掺Si-GaAs的局域振动模(LVM)吸收,讨论了所观察到的LVM吸收带的由来,特别是将其中位于393.4cm(-1)和388.6cm(-1)处的两个吸收带试验性地归因于~(29)
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,
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本文研究了用Li饱和补偿的掺Si-GaAs的局域振动模(LVM)吸收,讨论了所观察到的LVM吸收带的由来,特别是将其中位于393.4cm(-1)和388.6cm(-1)处的两个吸收带试验性地归因于~(29)Si_As和~(30)Si_As这两种缺陷,估算了对主要缺陷Si_Ga和Si_As负责的LVM吸收带的红外吸收截面。
In this paper, we investigate the LVM absorption of Si-GaAs doped with Li saturation, and discuss the origin of the LVM absorption bands observed, especially at 393.4 cm -1 and 388.6 cm -1. 1) were experimentally attributed to the defects of ~ (29) Si_As and ~ (30) Si_As, and the infrared absorption cross sections of the LVM absorption bands responsible for the major defects Si_Ga and Si_As were estimated.
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