【摘 要】
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用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相反应.先是Ga原子向Pt扩散并溶于Pt形成固溶体,然后留下的As在界面处生成PtAs_2. 当退火温度高于400℃时,反应终止,生成GaPt和PtAs_2两平衡相,不再出现新相.
The interface properties of Pt / GaAs in the temperature range of 250-450 ℃ were investigated by backscattering technique and Auger electron spectroscopy.The samples were Pt layers sputtered with 1000A | ° on n-GaAs.The results show that at 300 ℃ After 20 minutes of treatment, the interface produces a solid phase reaction, first Ga atom diffuses to Pt and dissolves in Pt to form a solid solution, and then the remaining As forms PtAs_2 at the interface. When the annealing temperature is higher than 400 ° C, the reaction terminates to generate GaPt and PtAs_2 two balanced phase, no longer appear new phase.
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