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GexSi1—x/Si应变超晶格PIN探测器的研制
GexSi1—x/Si应变超晶格PIN探测器的研制
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pf2858888
【摘 要】
:
本文对GexSi1-x/Si应变超晶格PIN控制器进行了分析和设计(其中x=0.6),并制作出了相应的器件。对典型器件的测试结果表明,在1.3μm光照下,反偏电压为-5V时,光响应电流为2.6μA,暗电流为400nA,探测灵敏度为0.153μA/μW,最大总量子效
【作 者】
:
方建国
李国正
【机 构】
:
西安交通大学微电子工程系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1998年8期
【关键词】
:
硅
硅化锗
应变超晶格
PIN控制器
FabricationOptical waveguidesPhotodetectorsSemiconducting ger
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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本文对GexSi1-x/Si应变超晶格PIN控制器进行了分析和设计(其中x=0.6),并制作出了相应的器件。对典型器件的测试结果表明,在1.3μm光照下,反偏电压为-5V时,光响应电流为2.6μA,暗电流为400nA,探测灵敏度为0.153μA/μW,最大总量子效率为14.2%。
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