GexSi1—x/Si应变超晶格PIN探测器的研制

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本文对GexSi1-x/Si应变超晶格PIN控制器进行了分析和设计(其中x=0.6),并制作出了相应的器件。对典型器件的测试结果表明,在1.3μm光照下,反偏电压为-5V时,光响应电流为2.6μA,暗电流为400nA,探测灵敏度为0.153μA/μW,最大总量子效率为14.2%。
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