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１０００℃下用Ｓｉ２Ｈ６和Ｃ２Ｈ４在Ｓｉ（１００）面上用气源分子束外延进行了ＳｉＣ的生长，Ｘ射线双晶衍射和ＨＲＥＥＤ表明外延层为３Ｃ－ＳｉＣ单晶；俄歇电子谱分析其中的Ｓｉ／Ｃ约为１．６，用ｏ－ｍａｒｓｋｉ光学显微镜观察，其表面存在类似四边形的缺陷，与不同温度，不同Ｃ２Ｈ４流量下Ｓｉ衬底碳化形成的碳化层表面进行了比较，分析了缺陷形成的原因。