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用ＲＡＰ型椭圆偏振光谱仪对不同化学处理的硅（１１１）表面的赝介电函数虚部ε２进行测量。结果表明：赝介电函数虚部ε２的Ｅ１（３．４０ｅＶ）、Ｅ２（４．２２ｅＶ）临界点峰值，尤其是Ｅ２对硅表面状态非常敏感；对不同腐蚀都有一个最佳腐蚀时间；对ＨＦ缓冲溶液处理的硅（１１１）表面，其稳定性不仅和溶液的ＰＨ值有关，还和后处理方法有关。