蓝宝石衬底上制备氮化硅薄膜的研究

• 作 者: 宋文燕 刘正堂 崔虎 李强 赵铁成
• 机 构: 西北工业大学,四川油建二公司
• 出 处: 兵器材料科学与工程
• 发表日期: 2005年5期
• 关键词: 磁控反应溅射 蓝宝石 氮化硅薄膜 沉积速率 RF magnetron reactive sputtering sapphire Si3N4 films dep

采用射频磁控反应溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出Si3N4薄膜.利用XPS和FTIR分析了所制备薄膜的成分和结构,讨论了工艺参数对沉积速率的影响.结果表明,Si3N4薄膜的沉积速率随溅射气压的增大出现先增后减的趋势,衬底温度对沉积速率没有明显的影响.溅射气压的降低、衬底温度的提高将有利于获得高质量的Si3N4薄膜.