GaN MESFET的微波性能

• 作 者: S.C.Binari 付士萍
• 出 处: 半导体情报
• 发表日期: 1996年05期
• 关键词: MESFET 栅长 MOCVD 跨导 微波性能 电子迁移率 电流增益 多数载流子 微波探针 肖特基势垒

用 MOCVD 法制备了在高电阻率 GaN 层上生长沟道厚度为0.25μm的GaN MESFET,这些器件的跨导为20mS/mm,其中一个栅长为0.7μm的器件,测得其 f_T 和 f_(max)分别为8和17GHz。

GaN MESFETs with a channel thickness of 0.25μm were grown on the high resistivity GaN layer by MOCVD. The transconductance of these devices was 20mS / mm. One of the devices with a gate length of 0.7μm was measured for f_T and f_ ( max) are 8 and 17 GHz, respectively.