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利用第一性原理模拟计算铜铟硒（CIS）太阳能电池CIS吸收层，及CIS中普遍存在的有序缺陷化合物（ordereddefectcompound，ODC）CuIn，Se。的性质．依据Culn：Se。形成的方式，结合对称性越高、能量越低的原则，建立CulnS：中的ODC．Culn5S。结构，并从态密度角度讨论CulnS：与Culn5S。的差异．分别选用ZnSe和CuI半导体作为CIS和CulnS2电池的缓冲层，利用第一性原理计算得到价带偏移（valencebandoffset，VBO）．在ZnSe／CIS界面处