【摘 要】
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本文提出的中子掺杂硅单晶旋转辐照模型，给出了热中子通量在硅断面上的分布．平均值和不均匀度。这些结果表明，在理想辐照条件下，用中子掺杂可以得到磷的均匀掺杂。说明了实现理想
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本文提出的中子掺杂硅单晶旋转辐照模型，给出了热中子通量在硅断面上的分布．平均值和不均匀度。这些结果表明，在理想辐照条件下，用中子掺杂可以得到磷的均匀掺杂。说明了实现理想辐照条件的方法。文中提出的研究中子掺杂的简单实验方法可用于各种类型的反应堆。
The neutron-doped silicon single crystal rotating radiation model proposed in this paper gives the distribution of thermal neutron flux on silicon cross-section. Average and unevenness. These results indicate that uniform doping of phosphorus with neutron doping can be achieved under ideal irradiation conditions. Described the method to achieve the ideal irradiation conditions. The simple experimental method proposed in this paper to study neutron doping can be applied to various types of reactors.
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