4H-Si_1-yC_y合金的生长及特性

• 作 者: 俞斐 吴军 韩平 王荣华 葛瑞萍 赵红 俞慧强 谢自力 徐现
• 机 构: 南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 2008年S1期
• 关键词: 化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金 电化学腐蚀电容电压 载流子浓度分布 CVD 4H-Si1-yCy alloy ECV-profile carrier c

用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示Si1-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。