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以热氧化钨丝法制备的WO3纳米材料为基材制备了厚膜气敏元件，在常温、紫外光激发条件下实验测试了所制纯WO3气敏元件对不同体积分数的H2S气体的气敏特性曲线，探讨了元件对H2S的灵敏度与紫外光的辐射通量密度的依赖关系。结果表明，常温、无紫外光照下WO3气敏元件对H2S不敏感，而在常温及紫外光激发下WO3气敏元件对H2S的灵敏度显著增大，且随着紫外光辐射通量密度增加，元件对H2S的灵敏度先增大而后减小。关键词：电子技术；H2S传感器；气敏性能；WO3；紫外光照；辐射通量密度