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横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件在高压静电放电（ESD）防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0．25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理，并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺杂漏版图的LDMOS器件，传输线脉冲（TLP）测试表明，器件在ESD应力下触发后一旦回滞即发生软失效，漏电流从2．19×10^-9A缓慢增至7．70×10^-8A。接着，对LD-MOS器件内部电流密度、空间电荷及电场的分布进行