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基于IBM0．18μmSiGeBiCMOS工艺设计，实现了光接收机模拟前端，电路整体结构包括差分共射跨阻放大器（TIA）、限幅放大器（LA）以及输出缓冲级（Buffer）。采用SiGe异质结双极晶体管（HBT）作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻，更好地展宽了频带。仿真结果表明，在1．8V电源电压供电下，驱动50Q电阻和10pF电容负载时光接收机前端跨阻增益为74．59dB，带宽为2．4GHz，功耗为39．6mw。在误码率为10、输入电流为50μA的条件下，光接收机前端电路实现了3Gb／s的