图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究

• 作 者: 吕凡敏 李佩 王永进 胡芳仁 朱闻真
• 机 构: 南京邮电大学光电工程学院,DepartmentofMicrosystemsEngineering—IMTEKUniversityofFreiburg79110FreiburgGermany,南京邮电大
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2017年6期
• 关键词: 分子束外延 GAN 图形化SOI衬底 光栅 光致发光 Molecular beam epitaxy GaN Patterned SOI substrate Gr

GaN材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点，是一种非常有前景的MOEMS材料。由于GaN的刻蚀目前尚未成熟，因此图形化外延生长法是一种较好的选择。本文基于SOI（silicon-on-insulator）基片，利用硅的微加工技术和图形化GaN分子束外延生长工艺，设计并加工了工作在太赫兹波段的、可以在二维方向上运动的SOI基GaN光栅。光栅周期为16 μm，光栅宽度为6 μm，峰值位置为25.901 μm。通过仿真优化，设计的微驱动器在水平电压220 V时，水平方向上的位移为