硅基无源器件介电薄膜相对介电常数表征方法研究

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介电薄膜的相对介电常数是介电材料的重要表征参数之一。在表征未知材料之前,需要用已知材料——二氧化硅验证表征方法的准确性。针对这一问题,提取了两组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于保角映射原理,使用三种不同的方法,先得到器件的有效介电常数以及结构参数,然后表征得到介电薄膜的相对介电常数。结果表明:S21表征法的平均偏差约1.435%,单线表征法的平均偏差约为0.483%,双线表征法的平均偏差约为0.448%。因此,可以得出结论:三种方法均可以准确地表征相对介电常数。
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