【摘 要】
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由于TiO2纳米管本身具有禁带宽度较宽且先生电子-空穴对复合速率较快等缺点,使得光生电子利用率较低,因此采用半导体对其进行负载改性可有效地改善其光催化反应活性.采用滴加
【机 构】
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东北石油大学化学化工学院,大庆163318
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由于TiO2纳米管本身具有禁带宽度较宽且先生电子-空穴对复合速率较快等缺点,使得光生电子利用率较低,因此采用半导体对其进行负载改性可有效地改善其光催化反应活性.采用滴加-煅烧法制备Cu2O负载改性的TiO2纳米材料,通过改变前驱体溶液中NaOH的浓度,制备了一系列Cu2O/TiO2纳米管,对改性后复合材料进行物化性能表征,并用电化学工作站对其光电化学性能进行测试.结果 表明:阳极氧化法制备的TiO2纳米管结构规整,且负载改性后其规整管状结构未被破坏,但随着负载量的增加,TiO2纳米管表面的Cu2O颗粒产生堆积现象;光生电流随Cu2O负载量的增加出现先升高后降低的趋势,当NaOH浓度为0.2mol/L时光生电流密度达到最大值(0.6mA/cm2);而采用降解罗丹明B(RhB)实验对其光催化氧化能力进行测试发现,当NaOH浓度为0.3mol/L时,所得Cu2O/TiO2纳米管对RhB的降解效果最好.
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