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对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析，计算采用数值分析方法，所用软件为ＰＩＳＣＥＳ，计算结果表明，栅的引入可以显著提高高速功率开关晶体管的击穿电夺ＢＶＣＥＯ；栅区浓度越高，栅区结构深越深，击穿电压越高，栅间距是提高击穿的关键因素，存在一个最佳值，本计算结果为高频高压功率晶体管的优率设计提供了有力的依据。