Sl-GaAs单晶的热稳定性研究

• 作 者: 曹福年 杨锡权
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所北京100083,北京100083,北京100083
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 1991年3期
• 关键词: SI-GAAS 热稳定性 离子注入
• 基金项目: 国家自然科学基金重大项目

SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10~(15)cm~(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个～0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响.