α-Si-H TFT及有源矩阵选址平板液晶显示

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tree63

【摘要】

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本文报道了用于平板液晶显示(LCD)的氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)的研制结果,此晶体管开态电流约10~(-6)A,关态电流<10~(-11)A,开启电压～15V.用此α-Si:H TFT矩阵已封装

【作者】

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李志锋徐骏陈坤基杜家方

【机构】

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南京大学物理系固体微结构实验室

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1991年4期

【关键词】

：

平板液晶显示非晶硅薄膜晶体管

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本文报道了用于平板液晶显示(LCD)的氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)的研制结果,此晶体管开态电流约10~(-6)A,关态电流<10~(-11)A,开启电压～15V.用此α-Si:H TFT矩阵已封装出具有20×20个有效象素单元的液晶显示平板,并成功地实现了有源选址与动态显示功能.同时,对如何进一步提高TFT性能作了一些分析与讨论.

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