【摘 要】
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文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,
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文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.
In this paper, the degradation of GaN-based resonant tunneling diodes (RTDs) has been investigated. By introducing three measured deep-level trap centers into the AlGaN / GaN / AlGaN quantum wells and solving the Schrödinger equation and the Poisson equation in a self-consistent manner, The results show that the degradation of GaN-based RTDs is caused by the combination of defect density and activation energy in the trap center.As the ionization rate and the activation energy index in the trap center have a positive correlation, Trap centers with high activation energy trap more electrons and dominate the degradation of NDR characteristics.
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