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本文介绍利用环形双电子枪制备非晶硅太阳电池用ITO/SnO_2双层透明导电膜新工艺。在最佳条件下制备的该膜的薄层电阻达6.1Ω/□,可见光范围的透过率大于90％,载流子浓度为1.0×10~(21)cm~(-3)。实验表明,当膜层厚为200～300A时,就可有效阻挡ITO膜中的In向a-Si:H中扩散。