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硅的钴溅射引进深能级的研究
硅的钴溅射引进深能级的研究
来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lpflpf7337
【摘 要】
:
利用DLTS技术详细研究了经钴溅射并在不同温度下的RTA在n型和p型硅里引进的深能级。结果表明在n型硅里有五个深能级生成,这些能级的浓度较低,分布在2×10~(10)—1×1
【作 者】
:
卢励吾
G.Groeseneken
K.Maex
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所,IMEC
【出 处】
:
电子学报
【发表日期】
:
1991年1期
【关键词】
:
硅
钴溅射
深能级
N型硅
p型硅
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利用DLTS技术详细研究了经钴溅射并在不同温度下的RTA在n型和p型硅里引进的深能级。结果表明在n型硅里有五个深能级生成,这些能级的浓度较低,分布在2×10~(10)—1×10~(11)cm~(-3)范围内。它们可归因于替位的钴原子,钴与RTA的互作用或钴与缺陷的络合物。
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