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电子元件参数漂移的MφItoft统计模型
电子元件参数漂移的MφItoft统计模型
来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenww275245962
【摘 要】
:
参数漂移模型描述了元件参数从额定值发生偏移的行为。随着可靠性朝无故障寿命或无需维修工作周期的方向发展,对产品的参数漂移进行研究越来越显重要。利用MΦ Itoft统计模型
【作 者】
:
胡恩平
罗兴柏
彭永怀
【机 构】
:
军械工程学院
【出 处】
:
电子元件与材料
【发表日期】
:
2001年1期
【关键词】
:
电子元件
参数漂移
MφItoft统计模型
electronic componentparametric driftwearout MΦItoft statis
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参数漂移模型描述了元件参数从额定值发生偏移的行为。随着可靠性朝无故障寿命或无需维修工作周期的方向发展,对产品的参数漂移进行研究越来越显重要。利用MΦ Itoft统计模型描述了电子元件的参数漂移行为,通过元件的早期寿命测试来预测元件寿命,并给出了应用实例。
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