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研究结果表明，硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏５电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的５％时，压敏电场最小，非线笥系数最小，漏电汉最大；当玻璃料含量占５％～１０％时，随玻璃料掺入量的增加，非线性系数明显上升，漏电流迅速减小，压敏电场迅速上升。
硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响
【摘 要】
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研究结果表明，硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏５电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的５％时，压敏电场最小，非线笥系数最小，漏电汉最大；当玻璃料含量占５％～１０％时，随玻璃料掺入量的增
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2000年3期
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