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通过优化分子束外延生长条件，得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs／GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率（0．001单层／秒）可以把量子点的密度降低到4×10^6cm^-2。这些结果使得InAs／GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。
单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备
【摘 要】
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通过优化分子束外延生长条件，得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs／GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率（0．001单层／秒）可以把量子点的密度降低到4×10^6cm^-2。这些结果使
【机 构】
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北京工业大学光电子技术实验室,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2008年5期
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