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高度信息化社会的快速发展对先进光电子材料及光发射器件提出越来越高的要求。纵观半导体激光器的发展历程，每一次阶跃性的技术进步都依赖于光电子材料或器件结构的突破性进展。从最初的同质结体材料到异质结材料再到具有量子限制效应的低维量子阱、量子点、量子级联材料，从早期的法布里-珀罗结构到分布反馈结构、布拉格反射器结构以及微腔结构，低维异质结构材料及半导体激光器的研究与开发一直支撑着全球信息化建设的高速发展。目前，光通信用的半导体激光器总体朝着更低成本、更低功耗、更高输出功率、更高调制速率及更宽波长调谐范围等方向发展。