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采用真空反应法在硅基上制备出ＧａＮ外延层。利用二次离子质谱和Ｘ射线光电子能谱对ＧａＮ外延层进行了深度剖析和表面分析，结果表明，外延层中Ｇａ和Ｎ分布均匀；在表面处Ｇａ发生了偏聚，外延层中还存在Ｓｉ，Ｏ等杂质，但这些并未影响到ＧａＮ外延层的物相及发生性能，实验还表明，在外延生长前采用原位清洗可去除Ｓｉ衬底表面的氧。