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以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度999．99％，质量分数）为原料，用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜，并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻韫度关系曲线。结果显示：低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强。但是，在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大。随退火温度升高，高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2（B）到VO2（B）与V6O13混合，再到V6O13的转变过程，B表示薄膜无热致相变特性。低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2（B）到VO2（A）的转