Si原子在CeO2（111）表面吸附与迁移的第一性原理研究

• 作 者: 贾慧灵 任保根 刘学杰 贾延琨 李梅 吴锦绣
• 机 构: 内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古科技大学材料与冶金学院
• 出 处: 原子能科学技术
• 发表日期: 2018年7期
• 关键词: SI CEO2 吸附 电子结构 迁移 Si CeO2 adsorption electronic structure diffusion
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（61765012,51562031）, 国家杰出青年基金资助项目（51025416）, 教育部创新团队项目资助（IRT1065）

为探究Si原子在CeO2（111）表面吸附的微观行为,采用第一性原理的方法研究了Si原子在CeO2（111）表面的吸附作用、电子结构和迁移过程,计算了Si原子在CeO2（111）表面的吸附能,最稳定及次稳定吸附位置的电子态密度与电荷密度分布、迁移激活能。计算结果表明：Si原子最易吸附于基底表层的O原子上,其中O桥位（Obri）吸附作用最强,O顶位（Ot）和O三度位（Oh）吸附强度次之。Si原子仅对其最邻近的表层O原子结构影响较大,这与Si原子及其最邻近的O原子间电荷密度重叠程度增强的结果一致。Si原子最易