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在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁控制掺杂浓度与周期，来控制电子跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器。
新构思硅红外探测器
【摘 要】
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在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁控制掺杂浓度与周期，来控制电子跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器。
【机 构】
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复旦大学表面物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年7期
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